研究忆阻器的基本特性，并介绍由单参数控制Lorenz混沌系统引入忆阻器构造忆阻器混沌系统的构造机理。
通过数值计算，确定超混沌系统的平衡点集和稳定性，以及系统的李氏指数，并从混沌系统的对称性和耗散性初步分析忆阻器超混沌系统的动力学特性。
通过MATLAB软件仿真，计算经典Lorenz混沌系统、单参数控制Lorenz混沌系统和忆阻器超混沌系统的相图、分岔图以及李氏指数，分析混沌系统的动力学特性并对经典Lorenz混沌系统、单参数控制Lorenz混沌系统和忆阻器超混沌系统的动力学特性的区别。结合三种混沌系统信息嫡的计算，观察随系统参数变化引起稳定区域分布变化的现象。
根据改进型混沌电路的一般设计流程，对单参数控制Lorenz混沌系统和忆阻器超混沌系统进行混沌电路设计。通过Multisim电路仿真平台进行仿真分析，验证混沌系统动力学行为数值仿真和电路仿真实验的一致性。
通过电路仿真平台的实验，进行HP离子忆阻器模型和忆阻器超混沌电路的实物电路实现，验证其动力学行为的复杂性，为保密通信提供理论依据。